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3D NAND可以说是一个相当成功的技术，现在的NAND闪存基本都是3D NAND，那么同时存储芯片的DRAM能不能复制这一技术呢？NEO半导体就真这样干了，他们宣布推出3D X-DRAM，他们对这项专利技术雄心勃勃，旨在取代整个2D DRAM市场。

3D X-DRAM是首款基于无电容器浮体单元技术的类3D NAND DRAM单元结构，它可以使用3D NAND的工艺制造，并且只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构，这种结构简化了工艺步骤，提供一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。

根据NEO半导体估计，3D X-DRAM技术可以生产230层堆叠128Gbit的DRAM芯片，存储密度是现在DRAM芯片的8倍，而且预计在2030到2035年间就能实现1Tb的容量，也就是说单根双面的内存就能实现2TB的容量，服务器用内存使用32颗芯片就能实现单根4TB的容量，未来AI应用是驱动高性能和大容量存储器半导体的增长点，3D X-DRAM瞄准的就是这一点。

Network Storage Advisors总裁Jay Kramer表示：“从2D架构发展到3D架构为NAND闪存带来了引人注目且极具价值的优势，因此在整个行业范围内实现DRAM的类似发展是非常可取的。”目前NEO半导体将寻求把3D X-DRAM专利技术授权给DRAM制造厂商，比如三星、SK海力士和美光等。

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